Preparātā posmā, visa atklātā PN krustojumam diode ir pārklāts ar pasivēšana stikla slānis. Pasivēšana stikla slānis ir piemērots visai griešanas zonā katra diode mikroshēmas un apkures atsevišķi sagatavošanas laikā procedūrā. Atklātā Pn pāreja no stikla pasivētas silīcija pusvadītāju diode mikroshēma pozitīva slīpi sagriež, līdz ar to mainīt spriegumu pretestību var palielināt, un noplūdes iespēju var samazināt.
This site uses cookies to help personalise content, tailor your experience and to keep you logged in if you register.
By continuing to use this site, you are consenting to our use of cookies.
