REQ. MOSFET bez ķermeņa diode

[flatulent]

Var kāds ieteikt kādu pašlaik availabe MOSFET, kurā nav ierasto būvēt drenāžas radīto ķermeņa diode? Man vajag, lai pārslēgtos uz HF signālu vairāku desmitu voltu. Daudziem gadiem viņi bija tik diodeless ierīces, bet visi tie, es paskatos tagad ir diode.

 

[sova.dk]

Ir vairākas lietas, jūs varat darīt. Piem. saņemt pie diodeless jaudu J-FET no http://www.lovoltech.com , vai jūs varētu savienot divas MOSFETs virknē, veidojot divvirzienu konfigurāciju (sk. divus šajā pdf dokumentā http :/ / www.lovoltech.com/pdf/AN200.pdf ). Starp citu, visi Pasūtīšana ir ķermeņa diode, tas ir kā thay tiek veikts. Tajā nav bez. Ar laba vēlējumiem Kaspars

 

[bunalmis]

Notecina un Source veidot to uz pamatnes. Pamatnes un avots usualy savienot togetter. Tāpēc visi 3 pin MOS ir reversās aizplūšanu avota diode. Jums ir jāatrod 4 pin MOS ja jūs dont vēlaties mainīt diode. (Nav savienots avots un substate) pin1 D pin2 S pin3 G pin4 Substrāts

 

[bastos4321]

Elektroenerģijas elektronikas veids neizmantojiet parazitāras patieso MOS diode ir izmantot diodes virknē ar MOS, lai pašreizējie tikai plūsmas vienā virzienā. Bastos

 

[bunalmis]

http://www.lovoltech.com Starp citu, visi Pasūtīšana ir ķermeņa diode, tas ir kā thay tiek veikts. Tajā nav bez.

Visi JFETs ir ne ķermeņa diode.

 

[bastos4321]

[Quote = bunalmis]

http://www.lovoltech.com Starp citu, visi Pasūtīšana ir ķermeņa diode, tas ir kā thay tiek veikts. Tajā nav bez.

Visi JFETs ir ne ķermeņa diode. [/Quote] Nav par lielu jaudu un augstu spriegumu JFET .... Bastos

 

[ahz]

u var likt uz priekšu neobjektīva diode zem notekas / avots

 

[sova.dk]

J-FETs nav ķermeņa diode, bet lovoltech dažus ar pievienotās ķermeņa diode.