par MOS transconductance k "

[urian]

hi, tur es esmu, izmantojot 0.13u PDK veikt manu dizainu. es atrast parametrus μ0 = 440cm ² / V • S un Tox = 3n par NMOS tad i izmantot vienādojumu k '= u0 • Cox, lai aprēķinātu transconductance un rezultāts ir aptuveni 500 uA / V ². Es neesmu pārliecināts, rezultāts ir derīga es redzēju textbook raksturīgo vale ir starp 50 ~ 150 uA / V ², un es domāju, ka mans rezultāts ir pārāk large.Does tas ir labi? Best regards urian

 

[dedalus]

50-150 uA / V ² ir tipisks vērtība K Tox ~ 100 angstrēmi. Jūsu gadījumā Tox = 30 angstrēmi, tādējādi jūs esat iegūt ~ 3 reizes lielāku vērtību K.

 

[sjamil02]

Es gribētu izmantot K '= UoCox / 2. Uo ir virsmas pārvadātājs mobilitāti un šo vērtību kļūst mazāk saturation (ANO). Pārbaudiet iepriekšējo diegu forumā .... ir dažas diskusijas par K. Priekā sj