pamata jautājumu par ieguvumu aprēķināšanu

[princerock]

Hi,

Es esmu iesācējs ar Analog IC Design.Un es got zaudējis tad, kad man bija daži roku uz aprēķiniem par ķēdi.Piemēram, lai aprēķinātu vienu CS posms ar strāvas slodzi.Es zinu, ka pieaugums ir vienāds ar ģenētiski modificēti (Ro1 | | ro2) un ka ĢM vienāds ar (k '(W / L) Id) ˝ un ro vienāds ar (1/λId).Tomēr, kā es varu izlemt, Id, ja vēlos, lai aprēķinātu peļņu šī kontūra pirms tam par simulāciju?Protestu Es tikko piešķirt patvaļīgi vērtību ID (100uA, piemēram)?Kā par λ?Es tagad izmanto tsmc25 technolog un atrast λ nav loceklis tehnoloģiju failu (varbūt tas ir tāpēc λ ir apgriezti proporcionāla L?)

 

[sunking]

jā, λ mainīsies ar L.
Un jums jēlnaftas vērtību roku aprēķinu.
Par OPA dizains ar kādu procesu, jūs varat atsaukties uz grāmatu
KTO analog circuit spēju izstrādāt
Allen
Nodaļa 5 un 6

 

[muoinhohn]

k ", W, L, V_t ir parametriem MOSFET.Tātad tie ir atkarīgi no īpašu MOSFET.Tos, kurus productors.
Jo piesātinājuma režīmā, jūs varat canculate Id = 1 / 2 K (W / L) (V_GS-V_t) ˛.

 

[suria3]

Hi,

Kas opamp dizainu, vispirms u uzņemties summu pašreizējā plūst pie astes, ļaujiet teikt par 100uA.Tad, lai uzzinātu vērtību λ, ņem vienu PVO vai NMOS.Jūs noteikt vārtiem spriegumu un u slaucīšana VDS (Drain spriegums).Vēlāk jums gabals līkni IDS Vs VDS.Tātad, jūs var izmērīt vērtību ro (izejas pretestība) no nogāzes.Tad konvertēt uz λ = 1/ID * ro.Tad, lai aprēķinātu transconductance gm vērtība, u var atrast vērtības unCox no simulācijas sarakstu no īpaši tranzistors vai projektēšanas rokasgrāmatu.Ceru, ka tas palīdz jums.

Sveicieni,
Suria3

 

[princerock]

Paldies visiem iepriekš

<img src="http://www.edaboard.com/images/smiles/icon_biggrin.gif" alt="Loti laimīgs" border="0" />Līdz suria3: Es to izmēģināju jūsu metodi.Bet kāda veida pārbaudes shēmas man ir?Ja tas ir CS ar rezistoru slodzi, ro ir infulenced ar vērtību slodzes.Vai arī tas ir CS ar strāvas slodzi?

Mans tranzistors nav īss kanāls (L = 1.5ľm).Tāpēc es domāju, λ ir mazs skaitlis, vai ne?Pievienots pēc 4 minūtēm:starp citu, vajadzētu pievienot līdzstrāvas vērtību signāla (vsin jo ritms), kad es veikt simulācijas?Tagad es noteikti ac amp par vsin 1.Ir teikts, ka šādā veidā es varu iegūt tieši no zemes gabala.

 

[suria3]

Hi Princerock,

Kad jūs pasākums ro no NMOS, aizplūšanu NMOS jūs piešķirat līdzstrāvas vērtību (sweep) bez kravas (RL), kas saistīti ar darbaspēka aizplūšanu.Tas ir tikai, lai atrastu ietekmi ro vai NMOS λ ir.Tad, kad runa ir par peļņu aprēķina vienkāršu CS pastiprinātājs, pieaugums ir gmRL, kur ro efekts tiek ignorēts, jo ro | | RL, un ir spēkā LR, kā slodzi.Jūs varat izmantot kā vienkāršu CS posmā izmēģināt šajā sakarā.

Kā mēs zinām, ka, L ≈ 1 / λ, jo jūsu L izmērs ir liels, λ ietekme varētu būt mazāka.Tāpēc šajā diferenciāli pastiprinātāju konstrukciju, parasti mēs redzam, kas vērtību L ir 2 vai 3 x nekā faktiskais garums no astes tranzistors, lai samazinātu ietekmi λ kā kopējo peļņu diffamp kontrolē komutācijas strāva, pie asti.

Nu, lai uzzinātu iegūt jūsu CS pastiprinātājs, u dot līdzstrāvas spriegumu un AC = 1 pie vārtiem NMOS vai PVO ar slodzi RL savienots pie aizplūšanu.Tad jums gabals Vout / Vin un apjoma to logaritmic.Es esmu pārliecināts, ka jūs redzēsiet iegūt jūsu ķēde db.

Ar šo es esmu pievienojot 2 dokumenti, kas palīdzēs jums par simulāciju.

Sveicieni,
Suria3
Atvainojiet, bet jums ir nepieciešams pieteikumvārds, lai skatītu šo arestu