MOSFET Pārklāšanās kapacitātes mērījumi

[engrak]

var kāds stāsta, kā iegūt MOSFET pārklājas kapacitātes?

 

[pbs681]

[Quote = engrak] var kāds stāsta, kā iegūt MOSFET pārklājas kapacitātes [/quote] Lasīt BSIM3 pamācība saskaņā kapacitātes nodaļā? .... galvenokārt, lai iegūtu labu rezultātu, jums vajadzētu sākt ar īpašu testa struktūra ....

 

[engrak]

man ir īpaša struktūra pieejami, piemēram, NMOS masīva izmēru 10x10 un 10X0.35, bet i got divas dažādas vērtības pārklāšanās kapacitātes no šiem diviem izmēriem, bet tas nav iespējams, ir pats process, technology.so kāpēc divi izmēri ir doti? i mērīšanas pārklājas kapacitātes izmantojot LCR mērītāju.

 

[pbs681]

[Quote = engrak] Man ir īpaša struktūra pieejami, piemēram, NMOS masīva izmēru 10x10 un 10X0.35, bet i got divas dažādas vērtības pārklāšanās kapacitātes no šiem diviem izmēriem, bet tas nav iespējams, ir pats process, technology.so kāpēc divi izmēri ir ņemot? i mērīšanas pārklājas kapacitātes izmantojot LCR mērītājs [/quote]. neliela garuma iedarbību izraisa atšķirības ..... parasti pārklājas cepure ir charecterised izmantojot 10/0.35 ur gadījumā ......

 

[engrak]

Es gribu zināt iemeslu, kāpēc īsā kanāla garums masīvs vajadzētu izmantot, lai aprēķinātu pārklājas kapacitātes.

 

[pbs681]

[Quote = engrak], es vēlos zināt iemeslu, kāpēc īsā kanāla garums masīvs vajadzētu izmantot, lai aprēķinātu pārklāšanās kapacitātes [/quote]. Es neesmu pārliecināts, kas ir tieši ur testa struktūra izskatās ..... bet, ja u izmantot 10 / 10 masīvs, tad testa struktūra ir ļoti liels, lai iegūtu pamatotu kapacitātes vērtību no jūsu mērījuma ..... u HV uz makesure kapacitātes vērtību no easurement ir daudz lielāks par sistēmas kapacitātes .....