Kas ir par šo DC parametru saistība?

[huojinsi]

Izmantojot spoks simulators un modeļu failu 5V standarta CMOS process, NMOS tranzistors ir modelētām, un DC darbība punkts šajā NMOS tranzistors tiek drukāts attēlā. Saskaņā ar nosacījumu par normālu darbības stāvoklī, man ir dažas šaubas par savu DC parametrus: 1. Kāpēc ir "ibulk" pašreizējā tik liels? 2. Kas ir no DC parametru saistība ar zilo zīmes taisnstūra? kāpēc Vdsat nav pielīdzināmi (Vgs-piektā)? Saskaņā ar VdS, Vgs un piektā, kā aprēķināt šo vdsat un saņemt 647.4mV? Pls guide me! Jebkura atbilde ir ļoti appreciated! Thks jau iepriekš!

 

[barmak]

Varbūt "Vdsat" ir spriegums Drain pie piesātinājumu, nevis spriegums Drain koda.

 

[huojinsi]

Hi skolotāji! tuvošanos, dod man pamatotu paskaidrojumu! Ja u ir formula aprēķina, tas ir perfekts! Thks!

 

[srieda]

Jūs varat post ķēde?

 

[JVNPAVANKUMAR]

tas mums, ka ierīce strādā virs sadalījums spriegumu? jo es nekad redzēt cilvēki pieņemt ibulk PĀRSNIEDZ 100uA

 

[dwayne22]

Ne augstāk sadalījumu, bet pietiekami augsts, lai trieciena jonizācijas (karstuma elektroni) izraisa augstas substrāts strāvu. Ierīce, iespējams, ir paredzēta zemāku spriegumu, piemēram, 3.3. Arī atzīmē, ka GDS ir diezgan augsts šeit, jo šajā pašā sakarā. Vdsat ir spriegums aprēķina simulators, kas būs aptuvenā robeža starp lineārajiem un piesātinājumu. VDS ir vienkārši aizplūšanu-avota spriegumu Vgs ir vārti avota spriegums Vt ir slieksnis sprieguma Ceru, ka palīdz