W
wizardyhnr
Guest
Nesen es dizains LNA no trim posmiem ar SiGe BiCMOS process. Es gribu izejas 1dB kompresijas punktu 10dBm vai augstāka par trešo posmu LNA. Man ir noteikti savāktu pašreizējā Ic 12mA, tomēr man ir iegūt 1dB kompresijas punktu 8.5dBm, kas ir mazāk nekā attiecīgais skaitlis nopelnu. Vai kāds ir kāds padoms, kā uzlabot 1dB kompresijas punktu šo LNA?