CMOS augstu-to-zemā līmenī shifter: kā tas darbojas?

[bb12mpc]

Dear all, Es daru ar multi-VDD SoC dizains, ir augstas, lai zema līmeņa pārveidotājs pieejami procesā. Ko es sapratu no augstas līdz zemas shifter ir aviod pārslodzes no augstas v produkcijas ar zemu v input (pls labot mani, ja es esmu nepareizi!). Kad es paskatos uz ķēdes, augstu-to-zemā līmenī shifter ir tikai divas invertori iekšā. Zemāk ir šī augstas uz zemu līmeni shifter sadalījumu. -> Inverter (VDD: zema-v, PVO: 0.37/0.13, NMOS 0.3/0.13) -> inverter (VDD: zema-v, PVO: 0.85/0.13, NMOS: 0.69/0.13) -> Y Vai kāds paskaidrot kā tā darbojas un kāpēc tā var izvairīties no pārslodzes? Liels paldies, Mark

 

[maxwellequ]

Lai izvairītos no "pārmērīgas stresu", pirmajā invertoru tranzistori jābūt bieza oksīda. Piemēram, ja jūs vēlaties, 3.3V-> 1.2V līmeņa pārveidotājs, tad pirmais invertoru Jābūt 3,3 V tranzistoru. Ja tas ir 1,2 V šos tiks iznīcināti.

 

[bb12mpc]

Cienījamie maxwellequ, Paldies par prompte atbildi. Bet ko es redzēju no schmatic manu lielu-to-zemā līmenī pārslēgs, pirmo un otro invertori "VDDs ir gan pieslēdzoties zemu v piegādi. Tātad, tas ir nepareizi uz ciruit? Vai dažādu tranzistoru izmēriem darīt to triks? Paldies, Mark [quote = maxwellequ] Lai izvairītos no "pārmērīgas stresu", pirmajā invertoru tranzistori jābūt bieza oksīda. Piemēram, ja jūs vēlaties, 3.3V-> 1.2V līmeņa pārveidotājs, tad pirmais invertoru Jābūt 3,3 V tranzistoru. Ja tas ir 1,2 V tie tiks iznīcināti [/quote].

 

[maxwellequ]

OK, ļaujiet man pārfrāzēt ... Abi pārveidotāji jābūt savienotam ar zemu VDD piegāde, bet pirmā pārveidotāja tranzistoriem jābūt bieza oksīdu, lai novērstu dedzināšana tranzistoru. Vai tagad ir skaidrs? Vai ko jūs nesaprotat, ir kā ķēdes darbību?